長庚大學攜日本突破二維半導體瓶頸　為次世代晶片奠基

Ce que rapporte la source

（中央社記者陳至中台北3日電）長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作，克服二維半導體瓶頸，成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮（BCN）的p型半導體材料，為次世代晶片研發奠定基礎。