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長庚大學攜日本突破二維半導體瓶頸 為次世代晶片奠基
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(中央社記者陳至中台北3日電)長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作,克服二維半導體瓶頸,成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮(BCN)的p型半導體材料,為次世代晶片研發奠定基礎。
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(中央社記者陳至中台北3日電)長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作,克服二維半導體瓶頸,成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮(BCN)的p型半導體材料,為次世代晶片研發奠定基礎。
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